- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18552 > MMDF3N02HDR2 (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMDF3N02HDR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMDF3N02HD
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
6
5
V GS = 10 V
4.5 V
3.9 V
3.5 V
3.7 V
3.3 V
T J = 25 ° C
6
V DS ≥ 10 V
4
3
2
1
3.1 V
2.9 V
2.7 V
2.5 V
4
2
T J = 100 ° C
25 ° C
- 55 ° C
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1 1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
1
1.4 1.8
2.2 2.6 3
3.4
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.6
I D = 1.5 A
T J = 25 ° C
0.08
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.4
0.07
0.2
0.06
10 V
0
0
1
2
3 4
5 6 7 8
9
10
0.05
0
1
2 3 4
5
6
1.6
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
V GS = 10 V
1000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
I D = 1.5 A
100
T J = 125 ° C
1.2
100 ° C
1
0.8
10
25 ° C
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
4 8
12 16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASA-37.030MHZ-L-T3 | OSC 37.030 MHZ 3.3V SMD |
| B32560J6103K189 | FILM CAP 10NF 10% 400V |
| MMBF170LT3 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 |
| ASA-36.000MHZ-L-T3 | OSC 36.000 MHZ 3.3V SMD |
| MGSF1N03LT3G | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF3N02HDR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8D 20V 3.8A 90mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF3N03HD | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
| MMDF3N03HDR2 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC T/R |
| MMDF3N04HD | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts |
| MMDF3N04HDR2 | 功能描述:MOSFET 40V 3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。