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参数资料
| 型号： | MMDF3N04HDR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 32V |
| 功率 - 最大： | 1.39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMDF3N04HDR2OSCT |
MMDF3N04HD
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
Chip
0.0106 W
0.0431 W
0.1643 W
0.3507 W
0.4302 W
Junction
0.001
SINGLE PULSE
0.0253 F
0.1406 F
0.5064 F
2.9468 F
177.14 F
Ambient
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4301.5241 | MOD PWR ENTRY MED 1A QC 3POS PNL |
| FXO-LC526R-120 | OSC 120 MHZ 2.5V LVDS SMD |
| B32934A3564M | FILM CAP 0.56UF 20% 305V MKT X2 |
| M2039TXA41 | SWITCH ROCKER 3PDT 6A 125V |
| B32653A2102J | FILM CAP 1.0NF 5% 2000V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF3N04HDR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8D 40V 3.4A 80mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF3N06HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS POWER MOSFET 60 VOLTS |
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| MMDF3N06VLR2 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R |
| MMDF3NO2HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS DUAL N-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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