参数资料
型号: MMDT5401
厂商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 200 mA, 150 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
文件页数: 2/4页
文件大小: 246K
代理商: MMDT5401
SOT-363 Outline Dimension
Device Marking :
Device P/N
Marking code
MMDT5401
K4M
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PDF描述
MMDT5401 200 mA, 150 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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相关代理商/技术参数
参数描述
MMDT5401_1 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5401_11 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:Plastic-Encapsulate Transistors
MMDT5401_2 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT5401-7 功能描述:两极晶体管 - BJT -150V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMDT5401-7-F 功能描述:两极晶体管 - BJT -150V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2