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参数资料
| 型号： | MMFT2955ET3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | MMFT2955ET3 |
MMFT2955E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
Figure 14. Capacitance Variation with Voltage
SAME
DEVICE TYPE
AS DUT
Vin
+18 V
VDD
10 V
100 k
0.1
F
FERRITE
BEAD
DUT
100
2N3904
47 k
15 V
100 k
Vin = 15 Vpk; PULSE WIDTH ≤ 100 s, DUTY CYCLE ≤ 10%.
1mA
47 k
1000
800
200
400
600
0
Figure 15. Gate Charge versus Gate–To–Source Voltage
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Ciss
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
1200
1400
1600
1800
Crss
Coss
Ciss
Coss
Crss
VGS
15
10
5
0
5
10
15
20
VDS
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
10
3
7.5
13
20
V
GS
,GA
TE–T
O–SOURCE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
TJ = 25°C
VDS = 48 V
ID = 1.2 A
VGS
VDS
TJ = 25°C
f = 1 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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