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参数资料
型号： MMG05N60DT3
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 0.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-261A
封装： CASE 318E-04, 4 PIN
文件页数： 5/6页
文件大小： 157K
代理商： MMG05N60DT3
MMG05N60D
5
Motorola IGBT Device Data
t, TIME (ms)
r(t),
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
1.0
0.1
0.01
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.001
RθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 30°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 12. Typical Thermal Response
inches
1.5
0.059
6.2
0.244
mm
1.5
0.059
1.5
0.059
2.0
0.079
2.3
0.091
4.6
0.181
2.0
0.079
3.8
0.15
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