- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录382340 > MMJT350T1 (ON SEMICONDUCTOR) Bipolar Power Transistors PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMJT350T1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Bipolar Power Transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | MMJT350T1 |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
October, 2003 Rev. 1
1
Publication Order Number:
MMJT350T1/D
MMJT350T1
Bipolar Power Transistors
PNP Silicon
. . . designed for use in lineoperated applications such as low
power, lineoperated series pass and switching regulators requiring
PNP capability.
High CollectorEmitter Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
= 300 Vdc @ I
C
=
1.0 mAdc
Excellent DC Current Gain
h
FE
= 30240 @ I
C
= 50 mAdc
Epoxy Meets UL94, V0 @ 0.125 in
ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 8000 V
Machine Model, C; > 400 V
http://onsemi.com
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
MMJT350T1
SOT223
1000 / Tape &
Reel
SOT223
CASE 318E
Style 1
MARKING
DIAGRAM
AYM
T350
T350
A
Y
M
= Specific Device Code
= Assembly Location
= Last Digit of Year
= Month Code
Schematic
C 2,4
B 1
E 3
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
300 VOLTS
2.75 WATTS
Top View Pinout
C
C
2
E
3
B
1
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMO110 | AC Controller Modules |
| MMO110-08IO7 | AC Controller Modules |
| MMO110-12IO7 | AC Controller Modules |
| MMO110-14IO7 | AC Controller Modules |
| MMO36 | AC Controller Modules |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMJT350T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Power Transistors PNP Silicon |
| MMJT350T1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 0.5A 30V 2.75W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMJT9410 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Power Transistors NPN Silicon |
| MMJT9410G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Power Transistors NPN Silicon |
| MMJT9410T1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 30V 3W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。