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参数资料
| 型号： | MMJT350T1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Bipolar Power Transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | MMJT350T1 |
MMJT350T1
http://onsemi.com
2
C
CB
EB
0.5
Total P
@ T
= 25
°
C mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR4 bd material
Collector Current
Continuous
Peak
I
C
22
Derate above 25
°
C
D
A
P
W
W
°
C
W
, T
260
JunctiontoAmbient on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR4 bd material
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
T
Thermal Resistance Junction to Case
R
JA
R
JC
R
190
45
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Sustaining Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0 Adc)
V
CEO(SUS)
300
Vdc
CollectorBase Current
(V
CB
= Rated V
CBO
, V
EB
= 0)
I
CBO
100
Adc
Emitter Cutoff Current
( V
BE
= 5.0 Vdc)
I
EBO
100
Adc
ON CHARACTERISTICS
(Note )
DC Current Gain
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
h
FE
30
20
240
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