参数资料
型号: MMSD914T3
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
文件页数: 1/2页
文件大小: 52K
代理商: MMSD914T3
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PDF描述
MMSF10N02ZR2 10000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MMSF1310R2 10 A, 30 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMSF2P02ER1 2500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MMSF2P02ER2 2500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MMSF3305R2 6 A, 30 V, 0.02 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
MMSD914T3G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
MMSD914-TP 功能描述:DIODE SW 400MW 75V SOD-123 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
MMSDT-02-20-F-06.00-D-K-LUS 制造商:Samtec Inc 功能描述:MMSDT .100 SOCKET DISCRETE CABLE ASSEMBLY - Bulk
MMSDT-02-20-F-72.00-D-K-LUS 制造商:Samtec Inc 功能描述:MMSDT .100 SOCKET DISCRETE CABLE ASSEMBLY - Bulk
MMSDT-02-20-L-03.00-S-K 制造商:Samtec Inc 功能描述:MMSDT .100 SOCKET DISCRETE CABLE ASSEMBLY - Bulk