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参数资料
| 型号： | MMSF3P02HDR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMSF3P02HDR2OSCT |
MMSF3P02HD
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
6
5
4
V GS = 10 V
4.5 V
3.5 V
3.7 V
3.9 V
3.3 V
3.1 V
T J = 25 ° C
6
5
4
V DS ≥ 10 V
3
2.9 V
3
2
2.7 V
2
T J = 100 ° C
1
2.5 V
1
- 55 ° C
25 ° C
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1 1.2
1.4 1.6
1.8
2
0
1.6
1.8
2 2.2 2.4
2.6
2.8 3 3.2
3.4
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.6
I D = 1.5 A
T J = 25 ° C
0.09
T J = 25 ° C
0.08
0.4
0.2
0.07
0.06
V GS = 4.5 V
10 V
0
0.05
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
1.20
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
V GS = 10 V
1000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
I D = 3.0 A
1.10
T J = 125 ° C
1.00
0.90
100
0.80
- 50
0
25
50
75
100
125
150
10
0
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSF7P03HDR2G | MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC |
| MODEL 700 | WELDER STRAIN GAGE 115V |
| MP100701 | SENSOR MAGNETIC W/WIRES THRD |
| MP101301 | SENSOR MAGN PROXY SS HALL EFF |
| MP101401 | SENSOR MAGNETIC PROXIMITY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSF3P02HDR2G | 功能描述:MOSFET PFET SO8S 20V 5.6A 75mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMSF3P02HDR2SG | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MMSF3P03HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SINGLE TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 30 VOLTS |
| MMSF4205R2 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
| MMSF4N01HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS MOSFET 5.8 AMPERES 20 VOLTS |
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