- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95984 > MMST3906T146 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMST3906T146 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | MMST3906T146 |
UMT3906/SST3906/MMST3906
Transistors
Rev.B
3/4
0.01
1.0
0.1
10
100
10
500
5
h
FE
-AC
CURRENT
GAIN
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Fig.5 AC current gain vs. collector current
Ta=25
°C
VCE=5V
f=1kHz
0.1
1.0
10
100
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0.6
1.0
1.4
0.2
0
V
BE(SAT)
BASE
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
(V)
IC-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.6 Base-emitter saturation
voltage vs. collector current
IC / IB=10
Ta=25
°C
0.1
1.0
10
100
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0.6
1.0
1.4
0.2
0
V
BE(ON)
-BASE
EMITTER
ON
VOLTAGE
(V)
IC-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.7 Grounded emitter propagation
characteristics
VCE=5V
Ta=25
°C
Ta=25
°C
IC / IB=10
1.0
10
100
1000
1
10
ton
-TURN
ON
TIME
(
ns)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Fig.8 Turn-on time vs. collector
current
VCC=3V
15V
40V
1.0
10
100
1000
1
10
tr
-RISE
TIME
(
ns)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Fig.9
Rise time vs. collector
current
Ta=25
°C
IC / =IB=10
1.0
10
100
1000
10
tS
-STORAGE
TIME
(
ns)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Fig.10 Storage time vs. collector
current
IC=101B1=101B2
Ta=25
°C
VCC=3V
40V
15V
1.0
10
100
1000
10
tf-FALL
TIME
(
ns)
IC-COLLECTOR CURRENT (
mA)
Fig.11 Fall time vs. collector
current
IC=101B1=101B2
Ta=25
°C
0.1
1
10
100
10
50
0.5
1
CAPACITANCE
(
pF)
REVERSE BIAS VOLTAGE (
V)
Fig.12
Input / output capacitance
vs. voltage
f=1MHz
Ta=25
°C
Cib
Cob
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMST3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST4126-13 | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST4401-13 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMST3906-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST4001 | 制造商:WINNERJOIN 制造商全称:WINNERJOIN 功能描述:TRANSISTOR (NPN) |
| MMST4124 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMST4124_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMST4124_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。