型号: | MMSTA06-13 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | MMSTA06-13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMSTA06T146 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA13T146 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA42 | 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA56T146 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA92-13 | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSTA06-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA06-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA06T146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA13 | 制造商:ROHM 功能描述:DARLINGTON NPN SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 制造商:ROHM 功能描述:DARLINGTON NPN SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 - free partial T/R at 500. |
MMSTA13_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |