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参数资料
| 型号： | MMSTA06-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMSTA06-13 |
DS30168 Rev. 6 - 2
3 of 4
MMSTA05/MMSTA06
www.diodes.com
1
10
100
1000
V,
C
O
LLECT
O
RT
O
EMITTER
CE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4 Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T= 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.050
0
0.100
0.150
0.200
0.250
0.300
0.350
0.400
0.450
0.500
I
C
I
B
=10
0.001
0.01
I
BASE CURRENT (mA)
B,
Fig.3 Typical Collector Saturation Region
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.1
1
10
100
V
,
COLLECT
OR
EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
CE
I= 1mA
C
I = 10mA
C
I= 30mA
C
I = 100mA
C
I
,
COLLECT
O
R-BASE
CURRENT
(nA)
CBO
T , AMBIENT TEMPERATURE (C)
A
Fig. 2 Typical Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
10
0.01
0.1
1
25
50
75
100
125
V= 80V
CB
0
50
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
100
150
200
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSTA06T146 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA13T146 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA42 | 200 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA56T146 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA92-13 | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSTA06-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA06-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA06T146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA13 | 制造商:ROHM 功能描述:DARLINGTON NPN SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 制造商:ROHM 功能描述:DARLINGTON NPN SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 - free partial T/R at 500. |
| MMSTA13_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
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