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参数资料
型号： MMSZ5238BT3G
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 8.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN
文件页数： 3/6页
文件大小： 125K
代理商： MMSZ5238BT3G
MMSZ5221BT1 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted, VF = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA)
Device
Marking
Zener Voltage (Notes 3 and 4)
Zener Impedance (Note 5)
Leakage Current
VZ (Volts)
@ IZT
ZZT @ IZT
ZZK @ IZK
IR @ VR
Min
Nom
Max
mA
W
mA
Volts
MMSZ5221BT1, G
C1
2.28
2.4
2.52
20
30
1200
0.25
100
1
MMSZ5222BT1, G
C2
2.38
2.5
2.63
20
30
1250
0.25
100
1
MMSZ5223BT1, G
C3
2.57
2.7
2.84
20
30
1300
0.25
75
1
MMSZ5224BT1, G
C4
2.66
2.8
2.94
20
30
1400
0.25
75
1
MMSZ5225BT1, G
C5
2.85
3.0
3.15
20
29
1600
0.25
50
1
MMSZ5226BT1, G
D1
3.14
3.3
3.47
20
28
1600
0.25
25
1
MMSZ5227BT1, G
D2
3.42
3.6
3.78
20
24
1700
0.25
15
1
MMSZ5228BT1, G
D3
3.71
3.9
4.10
20
23
1900
0.25
10
1
MMSZ5229BT1, G
D4
4.09
4.3
4.52
20
22
2000
0.25
5
1
MMSZ5230BT1, G
D5
4.47
4.7
4.94
20
19
1900
0.25
5
2
MMSZ5231BT1, G
E1
4.85
5.1
5.36
20
17
1600
0.25
5
2
MMSZ5232BT1, G
E2
5.32
5.6
5.88
20
11
1600
0.25
5
3
MMSZ5233BT1, G
E3
5.70
6.0
6.30
20
7
1600
0.25
5
3.5
MMSZ5234BT1, G
E4
5.89
6.2
6.51
20
7
1000
0.25
5
4
MMSZ5235BT1, G
E5
6.46
6.8
7.14
20
5
750
0.25
3
5
MMSZ5236BT1, G
F1
7.13
7.5
7.88
20
6
500
0.25
3
6
MMSZ5237BT1, G
F2
7.79
8.2
8.61
20
8
500
0.25
3
6.5
MMSZ5238BT1, G
F3
8.27
8.7
9.14
20
8
600
0.25
3
6.5
MMSZ5239BT1, G
F4
8.65
9.1
9.56
20
10
600
0.25
3
7
MMSZ5240BT1, G
F5
9.50
10
10.50
20
17
600
0.25
3
8
MMSZ5241BT1, G
H1
10.45
11
11.55
20
22
600
0.25
2
8.4
MMSZ5242BT1, G
H2
11.40
12
12.60
20
30
600
0.25
1
9.1
MMSZ5243BT1, G
H3
12.35
13
13.65
9.5
13
600
0.25
0.5
9.9
MMSZ5244BT1, G
H4
13.30
14
14.70
9.0
15
600
0.25
0.1
10
MMSZ5245BT1, G
H5
14.25
15
15.75
8.5
16
600
0.25
0.1
11
MMSZ5246BT1, G
J1
15.20
16
16.80
7.8
17
600
0.25
0.1
12
MMSZ5247BT1, G
J2
16.15
17
17.85
7.4
19
600
0.25
0.1
13
MMSZ5248BT1, G
J3
17.10
18
18.90
7.0
21
600
0.25
0.1
14
MMSZ5249BT1, G
J4
18.05
19
19.95
6.6
23
600
0.25
0.1
14
MMSZ5250BT1, G
J5
19.00
20
21.00
6.2
25
600
0.25
0.1
15
MMSZ5251BT1, G
K1
20.90
22
23.10
5.6
29
600
0.25
0.1
17
MMSZ5252BT1, G
K2
22.80
24
25.20
5.2
33
600
0.25
0.1
18
MMSZ5253BT1, G
K3
23.75
25
26.25
5.0
35
600
0.25
0.1
19
MMSZ5254BT1, G
K4
25.65
27
28.35
4.6
41
600
0.25
0.1
21
MMSZ5255BT1, G
K5
26.60
28
29.40
4.5
44
600
0.25
0.1
21
MMSZ5256BT1, G
M1
28.50
30
31.50
4.2
49
600
0.25
0.1
23
MMSZ5257BT1, G
M2
31.35
33
34.65
3.8
58
700
0.25
0.1
25
MMSZ5258BT1, G
M3
34.20
36
37.80
3.4
70
700
0.25
0.1
27
MMSZ5259BT1, G
M4
37.05
39
40.95
3.2
80
800
0.25
0.1
30
MMSZ5260BT1, G
M5
40.85
43
45.15
3.0
93
900
0.25
0.1
33
MMSZ5261BT1, G
N1
44.65
47
49.35
2.7
105
1000
0.25
0.1
36
MMSZ5262BT1, G
N2
48.45
51
53.55
2.5
125
1100
0.25
0.1
39
MMSZ5263BT1, G
N3
53.20
56
58.80
2.2
150
1300
0.25
0.1
43
MMSZ5264BT1, G
N4
57.00
60
63.00
2.1
170
1400
0.25
0.1
46
MMSZ5265BT1, G
N5
58.90
62
65.10
2.0
185
1400
0.25
0.1
47
MMSZ5266BT1, G
P1
64.60
68
71.40
1.8
230
1600
0.25
0.1
52
MMSZ5267BT1, G
P2
71.25
75
78.75
1.7
270
1700
0.25
0.1
56
MMSZ5268BT1, G
P3
77.90
82
86.10
1.5
330
2000
0.25
0.1
62
MMSZ5269BT1
P4
82.65
87
91.35
1.4
370
2200
0.25
0.1
68
MMSZ5270BT1, G
P5
86.45
91
95.55
1.4
400
2300
0.25
0.1
69
MMSZ5272BT1, G
R2
104.5
110
115.5
1.1
750
3000
0.25
0.1
84
3. The type numbers shown have a standard tolerance of ±5% on the nominal Zener voltage.
4. Nominal Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at TL = 30°C $1°C.
5. ZZT and ZZK are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the ac current applied.
The specified limits are for IZ(AC) = 0.1 IZ(dc) with the AC frequency = 1 KHz.
*The “G’’ suffix indicates PbFree package available.
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PDF描述
MMBZ5246B-T1 18 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ13ET1G 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MSD6100G 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-226AA
MUR440-E3 4 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
MQSMCGLCE9.0AE3TR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ5238B-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 8.7V 5% 500mW 2-Pin SOD-123 T/R
MMSZ5238B-V-GS08 功能描述:稳压二极管 8.7 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5238B-V-GS18 功能描述:稳压二极管 8.7 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5238C-E3-18 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123
MMSZ5238C-G3-08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123
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