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参数资料
| 型号： | MMSZ5238BT3G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 8.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MMSZ5238BT3G |
MMSZ5221BT1 Series
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Figure 1. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55°C to +150°C)
TYPICAL TC VALUES
FOR MMSZ5221BT1 SERIES
VZ @ IZT
1000
10
1
10
200
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 2. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55°C to +150°C)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
150
125
100
75
50
25
0
T, TEMPERATURE (°C)
Figure 3. Steady State Power Derating
PD versus TA
PD versus TL
0.1
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 4. Maximum Nonrepetitive Surge Power
1
10
100
1000
100
10
1
RECTANGULAR
WAVEFORM, TA = 25°C
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE
Figure 5. Effect of Zener Voltage on
Zener Impedance
10
1
1000
100
10
1
TJ = 25°C
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC)
f = 1 kHz
IZ = 1 mA
5 mA
20 mA
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Typical Forward Voltage
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1000
100
10
1
75 V (MMSZ5267BT1)
91 V (MMSZ5270BT1)
150°C
75°C 25°C
0°C
q
VZ
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
°C)
q
VZ
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
°C)
P
pk
,PEAK
SURGE
POWER
(W
ATTS)
Z
ZT
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(W
)
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
100
TYPICAL TC VALUES
FOR MMSZ5221BT1 SERIES
VZ @ IZT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5246B-T1 | 18 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ13ET1G | 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MSD6100G | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-226AA |
| MUR440-E3 | 4 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| MQSMCGLCE9.0AE3TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5238B-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 8.7V 5% 500mW 2-Pin SOD-123 T/R |
| MMSZ5238B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 8.7 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5238B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 8.7 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5238C-E3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123 |
| MMSZ5238C-G3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123 |
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