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参数资料
| 型号： | MMUN2238LT1 |
| 厂商： | 乐山无线电股份有限公司 |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor |
| 中文描述： | 偏置电阻晶体管 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | MMUN2238LT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MMUN2211S–8/11
MMUN2211LT1 Series
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2232LT1
TA = 75
°
C
IC/IB =10
12
1
0.1
0.001
16
8
4
20
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
V
0.01
24
28
–25
°
C
25
°
C
Figure 22. VCE(sat) vs. IC
Figure 23. DC Current Gain
VCE = 10 V
0
1000
100
25
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
50
10
100
1
75
h
TA = 75
°
C
–25
°
C
25
°
C
125
Figure 24. Output Capacitance
Figure 25. Output Current vs. Input Voltage
f = 1 MHz
IE = 0 A
TA = 25
°
C
0
100
10
2
4
6
1
0.1
0.01
8
0
4
3
20
2
1
0
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
I
C
10
60
50
40
30
5
6
VO = 5 V
75
°
C
TA = –25
°
C
25
°
C
Figure 26. Output Voltage vs. Input Current
VO = 0.2 V
0
10
10
20
30
1
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
TA = –25
°
C
75
°
C
25
°
C
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMUN2238LT1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MMUN2240L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network |
| MMUN2240LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NPN DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NPN DIGITAL TRANSISTOR (B |
| MMUN2241 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MMUN2241LT1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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