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参数资料
| 型号： | MPC5200VR400BR2 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, 400 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA272 |
| 封装： | 27 X 27 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, BGA-272 |
| 文件页数： | 11/72页 |
| 文件大小： | 978K |
| 代理商： | MPC5200VR400BR2 |
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MPC5200B Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
19
Figure 6. Timing Diagram—Standard SDRAM Memory Write Timing
1.3.6.3
Memory Interface Timing-DDR SDRAM Read Command
The SDRAM Memory Controller uses a 1/4 period delayed MDQS strobe to capture the MDQ data. The 1/4 period delay value
is calculated automatically by hardware.
Table 20. DDR SDRAM Memory Read Timing
Sym
Description
Min
Max
Units
SpecID
tmem_clk
MEM_CLK period
7.5
—
ns
A5.15
tvalid
Control Signals, Address and MBA
valid after rising edge of MEM_CLK
—tmem_clk ×0.5 +0.4
ns
A5.16
thold
Control Signals, Address and MBA
hold after rising edge of MEM_CLK
tmem_clk × 0.5
—
ns
A5.17
datasetup
Setup time relative to MDQS
—
0.4
ns
A5.18
datahold
Hold time relative to MDQS
2.6
—
ns
A5.19
MEM_CLK
Control Signals
MDQ (Data)
MA (Address)
NOTE: Control Signals are composed of RAS, CAS, MEM_WE, MEM_CS, MEM_CS1 and CLK_EN
Active
NOP
WRITE
NOP
thold
Row
Column
MBA (Bank Selects)
datahold
datavalid
tvalid
thold
tvalid
thold
tvalid
DQM (Data Mask)
DMvalid
DMhold
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MPC52100J | 制造商:TE Connectivity 功能描述:RESISTOR 5W 10R |
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