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参数资料
| 型号： | MPC5566MZP144 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 66/66页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 32BIT 3MB FLASH 416PBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 系列： | MPC55xx Qorivva |
| 核心处理器： | e200z6 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 144MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，以太网，SCI，SPI |
| 外围设备： | DMA，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 256 |
| 程序存储器容量： | 3MB（3M x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.35 V ~ 1.65 V |
| 数据转换器： | A/D 40x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 416-BBGA |
| 包装： | 托盘 |
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Electrical Characteristics
MPC5566 Microcontroller Data Sheet, Rev. 3
Freescale
9
3.5
ESD (Electromagnetic Static Discharge) Characteristics
3.6
Voltage Regulator Controller (VRC) and
Power-On Reset (POR) Electrical Specifications
The following table lists the VRC and POR electrical specifications:
Table 5. ESD Ratings 1, 2
1 All ESD testing conforms to CDF-AEC-Q100 Stress Test Qualification for Automotive Grade Integrated Circuits.
2 Device failure is defined as: ‘If after exposure to ESD pulses, the device does not meet the device specification requirements,
which includes the complete DC parametric and functional testing at room temperature and hot temperature.
Characteristic
Symbol
Value
Unit
ESD for human body model (HBM)
2000
V
HBM circuit description
R1
1500
C100
pF
ESD for field induced charge model (FDCM)
500 (all pins)
V
750 (corner pins)
Number of pulses per pin:
Positive pulses (HBM)
Negative pulses (HBM)
—
1
—
Interval of pulses
—
1
second
Table 6. VRC and POR Electrical Specifications
Spec
Characteristic
Symbol
Min.
Max.
Units
11.5 V (VDD) POR 1
Negated (ramp up)
Asserted (ramp down)
VPOR15
1.1
1.35
V
Asserted (ramp up)
Negated (ramp up)
Asserted (ramp down)
Negated (ramp down)
VPOR33
0.0
2.0
0.0
0.30
2.85
0.30
V
3
RESET pin supply
Negated (ramp up)
Asserted (ramp down)
VPOR5
2.0
2.85
V
4
VRC33 voltage
Before VRC allows the pass
transistor to start turning on
VTRANS_START
1.0
2.0
V
5
When VRC allows the pass
transistor to completely turn on 3, 4
VTRANS_ON
2.0
2.85
V
6
When the voltage is greater than
the voltage at which the VRC keeps
the 1.5 V supply in regulation 5, 6
VVRC33REG
3.0
—
V
Current can be sourced
–40o C11.0
—
mA
7
by VRCCTL at Tj:
25o CIVRCCTL 7
9.0
—
mA
150o C
7.5
—
mA
8
Voltage differential during power up such that:
VDD33 can lag VDDSYN or VDDEH6 before VDDSYN and VDDEH6 reach the
VPOR33 and VPOR5 minimums respectively.
VDD33_LAG
—1.0
V
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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