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参数资料
| 型号： | MPC8535ECVTATH |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 47/126页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU PWRQUICC II 1250MHZ 783-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MPC85xx |
| 处理器类型： | 32-位 MPC85xx PowerQUICC III |
| 速度： | 1.25GHz |
| 电压： | 1V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 783-BBGA，FCBGA |
| 供应商设备封装： | 783-FCPBGA（29x29） |
| 包装： | 托盘 |
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Electrical Characteristics
MPC8535E PowerQUICC III Integrated Processor Hardware Specifications, Rev. 5
Freescale Semiconductor
27
See Section 2.23.6.1, “SYSCLK to Platform Frequency Options,” for the full range of CCB frequencies that the chip supports.
Maximum (A)
1250
500
1.0
105
/ 90
—
5.3/4.4
—
5.0/4.0
1, 3, 8
Thermal (W)
—
4.4/3.6
—
5.0/4.0
1, 4, 8
Typical (W)
65
2.2
1.7
1
Doze (W)
1.6
2.4
1.5
2.1
1
Nap (W)
0.8
1.6
1.5
2.1
1
Sleep (W)
0.8
1.6
1.1
1.7
1
Deep Sleep
(W)
35
0
0.6
1.2
1, 6
Notes:
1. These values specify the power consumption at nominal voltage and apply to all valid processor bus frequencies and
configurations. The values do not include power dissipation for I/O supplies.
2. Typical power is an average value measured at the nominal recommended core voltage (VDD) and 65°C junction temperature
(see Table 3) while running the Dhrystone benchmark.
3. Maximum power is the maximum power measured with the worst process and recommended core and platform voltage (VDD)
at maximum operating junction temperature (see Table 3) while running a smoke test which includes an entirely
L1-cache-resident, contrived sequence of instructions which keep the execution unit maximally busy.
4. Thermal power is the maximum power measured with worst case process and recommended core and platform voltage (VDD)
at maximum operating junction temperature (see Table 3) while running the Dhrystone benchmark.
6. Maximum power is the maximum number measured with USB1, eTSEC1, and DDR blocks enabled. The Mean power is the
mean power measured with only external interrupts enabled and DDR in self refresh.
7. Mean power is provided for information purposes only and is the mean power consumed by a statistically significant range of
devices.
8. Maximum operating junction temperature (see Table 3) for Commercial Tier is 90 0C, for Industrial Tier is 105 0C.
9. Platform power is the power supplied to all the
VDD_PLAT pins.
Table 5. Power Dissipation (continued)5
Power Mode
Core
Frequen
cy
CCB
Frequen
cy
DDR
Frequen
cy
VDD
Platfor
m
VDD
Core
Junction
Tempera
ture
Core Power
Platform Power9
Notes
(MHz)
(V)
(
°C)
mean7
Max
mean7
Max
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PDF描述 |
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参数描述 |
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