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参数资料
| 型号： | MPC8545EVUATG |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 65/151页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPU PWRQUICC III 783-FCCBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MPC85xx |
| 处理器类型： | 32-位 MPC85xx PowerQUICC III |
| 速度： | 1.2GHz |
| 电压： | 1.1V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 783-BBGA，FCBGA |
| 供应商设备封装： | 783-FCPBGA（29x29） |
| 包装： | 托盘 |
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MPC8548E PowerQUICC III Integrated Processor Hardware Specifications, Rev. 9
20
Freescale Semiconductor
DDR and DDR2 SDRAM
6
DDR and DDR2 SDRAM
This section describes the DC and AC electrical specifications for the DDR SDRAM interface of the
device. Note that GVDD(typ) = 2.5 V for DDR SDRAM, and GVDD(typ) = 1.8 V for DDR2 SDRAM.
6.1
DDR SDRAM DC Electrical Characteristics
The following table provides the recommended operating conditions for the DDR2 SDRAM controller of
the device when GVDD(typ) = 1.8 V.
This table provides the DDR2 I/O capacitance when GVDD(typ) = 1.8 V.
Table 11. DDR2 SDRAM DC Electrical Characteristics for GVDD(typ) = 1.8 V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
I/O supply voltage
GVDD
1.71
1.89
V
1
I/O reference voltage
MVREF
0.49
GV
DD
0.51
GV
DD
V2
I/O termination voltage
VTT
MVREF –0.04
MVREF + 0.04
V
3
Input high voltage
VIH
MVREF +0.125
GVDD +0.3
V
—
Input low voltage
VIL
–0.3
MVREF –0.125
V
—
Output leakage current
IOZ
–50
50
A4
Output high current (VOUT = 1.420 V)
IOH
–13.4
—
mA
—
Output low current (VOUT = 0.280 V)
IOL
13.4
—
mA
—
Notes:
1. GVDD is expected to be within 50 mV of the DRAM VDD at all times.
2. MVREF is expected to be equal to 0.5 GVDD, and to track GVDD DC variations as measured at the receiver. Peak-to-peak
noise on MVREF may not exceed ±2% of the DC value.
3. VTT is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to be
equal to MVREF. This rail must track variations in the DC level of MVREF.
4. Output leakage is measured with all outputs disabled, 0 V
V
OUT GVDD.
Table 12. DDR2 SDRAM Capacitance for GVDD(typ)=1.8 V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input/output capacitance: DQ, DQS, DQS
CIO
68
pF
1
Delta input/output capacitance: DQ, DQS, DQS
CDIO
—0.5
pF
1
Note:
1. This parameter is sampled. GVDD = 1.8 V ± 0.090 V, f = 1 MHz, TA = 25°C, VOUT = GVDD/2, VOUT (peak-to-peak) = 0.2 V.
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| MPC8545HXATG | 功能描述:微处理器 - MPU PQ38 8548 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
| MPC8545PXANGA | 功能描述:微处理器 - MPU PQ3 8545 RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
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