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参数资料
| 型号： | MPQ3762 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-14 |
| 文件页数： | 23/34页 |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | MPQ3762 |
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MPQ3762
2–488
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
– 1000
– 700
– 500
– 300
– 200
–100
–70
–50
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 1. Storage Time Variation
with Temperature
200
100
70
50
30
20
,ST
ORAGE
TIME
(ns)
t
sv
V
(sat)
,SA
TURA
TION
VOL
TAGE
(VOL
TS)
′
– 1000
– 700
– 500
– 300
– 200
–100
–70
–50
–1.6
– 1.4
– 1.2
– 1.0
– 0.8
– 0.6
– 0.4
– 0.2
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. Limits of Saturation Voltage
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC = 10 IB1 = 10 IB2
VCC = – 30 V
βF = 10, 20
βF = 10
βF = 20
t
′s ≈ ts – 1/8 tf
βF = 10
TJ = 25°C
MAX
MIN
VBE(sat)
MAX VCE(sat)
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
20
30
50
70
10
– 50
– 100
– 200
– 500
– 1000
Figure 3. Minimum Current Gain Characteristics
VCE = – 1.0 V
VCE = – 2.0 V
TJ = 125°C
h
FE
,MINIMUM
CURRENT
GAIN
– 70
– 300
– 700
TJ = 25°C
TJ = – 55°C
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PDF描述 |
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