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参数资料
型号： MPQ3798
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 50 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116
封装： PLASTIC, DIP-14
文件页数： 1/34页
文件大小： 312K
代理商： MPQ3798
2–489
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Quad Amplifier Transistors
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPQ3798
MPQ3799
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
–40
–60
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
–60
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–50
mAdc
Each
Transistor
Four
Transistors
Equal Power
Total Device Dissipation
@ TA = 25°C(1)
Derate above 25
°C
PD
0.5
4.0
0.9
7.2
Watts
mW/
°C
Total Device Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
0.825
6.7
2.4
19.2
Watts
m/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
RqJC
Junction
to Case
RqJA
Junction
to Ambient
Unit
Thermal Resistance
Each Die
Effective, 4 Die
151
52
250
139
°C/W
Coupling Factors
Q1–Q4 or Q2–Q3
Q1–Q2 or Q3–Q4
34
2.0
70
26
%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(2)
(IC = –10 mAdc, IB = 0)
MPQ3798
MPQ3799
V(BR)CEO
–40
–60
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = –10 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
–60
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = –10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –50 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
–10
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
–20
nAdc
1. Second breakdown occurs at power levels greater than 3 times the power dissipation rating.
2. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPQ3798
MPQ3799
*Motorola Preferred Device
CASE 646–06, STYLE 1
TO–116
1
14
*
1
2
3
4
567
14
13
12
11
10
9
8
PNP
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PDF描述
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MPQ6502 0.5 A, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
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