- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98028 > MPQ6426 (ON SEMICONDUCTOR) 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MPQ6426 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-14 |
| 文件页数： | 12/34页 |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | MPQ6426 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页当前第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页
MPQ6426
2–507
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(2)
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
5000
10,000
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 0.1 mAdc)
VCE(sat)
—
1.5
Vdc
Base – Emitter On Voltage
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
VBE(on)
—
2.0
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
fT
125
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f =1.0 MHz)
Cobo
—
8.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
15
pF
2. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPQ6600A1 | 50 mA, 45 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ6842 | 200 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ7043 | 0.5 A, 250 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ7091 | 0.5 A, 150 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ7093 | 0.5 A, 250 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MPQ6501 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, Array, Independent, TO-116 |
| MPQ6501N | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:QUAD DUAL IN LINE SILICON COMPLEMENTARY PAIR TRANSISTORS |
| MPQ6502 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Quad PNP/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPQ6502N | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:QUAD DUAL IN LINE SILICON COMPLEMENTARY PAIR TRANSISTORS |
| MPQ6600A1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。