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参数资料
| 型号： | MPQ6426 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
| 封装： | PLASTIC, DIP-14 |
| 文件页数： | 23/34页 |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | MPQ6426 |
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MPQ6426
2–508
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. Noise Voltage
Figure 2. Noise Current
Figure 3. Total Wideband Noise Voltage
Figure 4. Wideband Noise Figure
Figure 5. Capacitance
Figure 6. High Frequency Current Gain
10
f, FREQUENCY (Hz)
100
5.0
20
50
10
f, FREQUENCY (Hz)
100
1 k
10
0.7
1.0
0.02
1.0
RS, SOURCE RESISTANCE (kW)
200
70
30
20
100
10
RS, SOURCE RESISTANCE (kW)
5.0
1.0
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
2.0
20
0.1
0.4
0.04
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
20
7.0
5.0
3.0
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
100
0.5
4.0
2.0
0.8
0.2
10
0.2
e
n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
V
,T
O
TA
LWIDEBAND
NOISE
VOL
TAGE
(nV)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
100
20
50
500 1 k
200
500
0.1
2.0
5.0
10
50
1000
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
40
1.0
10
1.0
5.0
500
200
20
50
1.0
h
fe
,SMALL–SIGNAL
CURRENT
GAIN
20
10
100
200
500
50
100
200
500
T
2.0
4.0
10
20
i n
,NOISE
CURRENT
(pA)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C)
200
500
200
100 k
10 k
50 k
5 k
0.03
0.05
0.07
0.2
0.3
0.5
50
20
2 k
10 k 20 k
100 k
12
14
1000
50
TJ = 25°C
0.6
0.4
VCE = 5.0 V
f = 100 MHz
TJ = 25°C
Cib
Cob
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
1.0 mA
100
mA
IC = 10 mA
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
10
mA
100
mA
IC = 1.0 mA
10
mA
100
mA
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 1.0 mA
10
mA
100
mA
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS ≈ 0
2 k
5 k
50 k
20 k
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