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参数资料
| 型号： | MPS3646 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Switching Trasnistor(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 300 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | MPS3646 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
“ON” CONDITION CHARACTERISTICS
Figure 5. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
0.5
2.0
3.0
50
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
C
IC = 10 mA
50 mA
100 mA
200 mA
MPS3646
TJ = 25
°
C
20
30
10
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
0.5
2.0
3.0
50
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
IC = 10 mA
50 mA
100 mA
200 mA
MPS3646
TJ = 25
°
C
20
30
10
V
V
C
V
Figure 6. Saturation Voltage Limits
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
Figure 7. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
–0.5
0
0.5
1.0
0
80
120
160
40
200
–1.0
–1.5
–2.0
200
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
MAX VBE(sat)
(25
°
C to 125
°
C)
(–55
°
C to 25
°
C)
VC for VCE(sat)
VB for VBE
V
θ
°
V
3.0
7.0
30
70
MIN VBE(sat)
MAX VCE(sat)
(25
°
C to 125
°
C)
(–55
°
C to 25
°
C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| MPS3646RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 300mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| MPS3646RLRM | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.3A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo |
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