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参数资料
| 型号： | MPSH69 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | RF Amplifier Transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | MPSH69 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
PD
–15
Vdc
Collector–Base Voltage
–15
Vdc
Emitter–Base Voltage
–4.0
Vdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
350
2.81
mW
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
357
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
–15
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = –10 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
–15
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
–4.0
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –10 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
—
–100
nAdc
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
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by MPSH69/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
Motorola Preferred Device
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
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PDF描述 |
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参数描述 |
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