型号: | MPS3904 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | General Purpose Transistor |
中文描述: | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
文件页数: | 2/8页 |
文件大小: | 412K |
代理商: | MPS3904 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MPS3904 | General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
MPS3906 | General Purpose Transistor |
MPS3906 | General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
MPSH69 | RF Amplifier Transistor |
MPSW42 | One Watt High Voltage Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MPS3904,126 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS3906 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP switching transistor |
MPS3906 AMO | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP SW HS 100MA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS3906,126 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS39956 WAF | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |