参数资料
型号: MPS3904
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: General Purpose Transistor
中文描述: 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
文件页数: 5/8页
文件大小: 412K
代理商: MPS3904
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
Figure 13. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
Figure 14. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
5.0
10
20
30
50
1000
700
Figure 15. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 16. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Input Impedance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 18. Output Admittance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
3.0
1.0
500
0.5
10
t
t
f
T
h
o
h
)
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
7.0
70
100
VCC = 3.0 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
td @ VBE(off) = 0.5 Vdc
tr
10
20
30
50
70
100
200
300
500
2.0
5.0
10
20
30
50
3.0
1.0
7.0
70 100
VCC = 3.0 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
ts
tf
50
70
100
200
300
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
TJ = 25
°
C
f = 100 MHz
VCE = 20 V
5.0 V
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0.05
TJ = 25
°
C
f = 1.0 MHz
Cib
Cob
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.2
100
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
0.1
0.2
0.5
MPS3904
hfe
200 @ IC = 1.0 mA
VCE = 10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25
°
C
2.0
5.0
10
20
50
1.0
2.0
100
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
0.1
0.2
0.5
VCE = 10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25
°
C
MPS3904
hfe
200 @ IC = 1.0 mA
相关PDF资料
PDF描述
MPS3904 General Purpose Transistor(NPN Silicon)
MPS3906 General Purpose Transistor
MPS3906 General Purpose Transistor(PNP Silicon)
MPSH69 RF Amplifier Transistor
MPSW42 One Watt High Voltage Transistor
相关代理商/技术参数
参数描述
MPS3904,126 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS3906 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP switching transistor
MPS3906 AMO 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP SW HS 100MA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS3906,126 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPS39956 WAF 制造商:Texas Instruments 功能描述: