参数资料
型号: MPSA06
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 功率晶体管
英文描述: Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(NPN通用放大器)
中文描述: 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件页数: 4/7页
文件大小: 81K
代理商: MPSA06
(NPN) MPSA05, MPSA06*, (PNP) MPSA55, MPSA56*
http://onsemi.com
4
Figure 8. MPSA05/06 ActiveRegion Safe
Operating Area
Figure 9. MPSA55/56 ActiveRegion Safe
Operating Area
Figure 10. MPSA05/06 DC Current Gain
Figure 11. MPSA55/56 DC Current Gain
Figure 12. MPSA05/06 “ON” Voltages
Figure 13. MPSA55/56 “ON” Voltages
2.0
500
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
200
100
80
60
40
10
,
hF
NPN
PNP
T
J
= 125
°
C
10
500
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
T
J
= 25
°
C
V
V
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 1.0 V
10
1.0
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
500
200
100
70
50
20
10
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
50
1.0
500
200
100
70
50
20
10
20
30
IC
2.0
5.0
1.0 k
700
2.0
5.0
50
1.0 k
700
IC
1.0 ms
1.0 s
T
A
= 25
°
C
MPSA05
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPSA06
100
70
20
3.0
7.0
100 s
T
C
= 25
°
C
1.0
3.0
5.0
V
CE
= 1.0 V
20
100
30
50
200 300
25
°
C
55
°
C
0.5
2.0
5.0
200
20
50
2.0
500
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
200
100
80
60
40
10
,
hF
T
J
= 125
°
C
1.0
5.0
V
CE
= 1.0 V
20
100
50
200
25
°
C
55
°
C
10
500
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.5
100
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 1.0 V
2.0
5.0
200
20
50
300
30
1.0 ms
1.0 s
T
A
= 25
°
C
MPSA55
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPSA56
100 s
T
C
= 25
°
C
3.0
7.0
30
100
70
30
300
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PDF描述
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参数描述
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MPSA06 T/R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
MPSA06,116 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2