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参数资料
| 型号： | MPSA18 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Low Noise Transistor NPN Silicon(NPN低噪声晶体管) |
| 中文描述： | 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | MPSA18 |
MPSA18
http://onsemi.com
4
Figure 8. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
1.0
2.0
3.0
4.0
0.3
0.01
h
0.05
2.0
3.0
10
0.02
0.03
0.2
1.0
0.1
5.0
F
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
0.7
0.5
0.5
0.2
0.3
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
Figure 9. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 10. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
0.01
0
0.8
1.2
1.6
2.4
T
J
= 25
°
C
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
T
J
= 25
°
C to 125
°
C
55
°
C to 25
°
C
R
θ
T
°
0.4
2.0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10 20
50
100
f
C
8.0
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
6.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
T
J
= 25
°
C
C
cb
C
ob
C
eb
C
ib
1.0
2.0
5.0
3.0
7.0
10
20
30
50 70
100
500
300
200
70
50
100
V
CE
= 5.0 V
T
J
= 25
°
C
Figure 11. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. CurrentGain Bandwidth Product
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MPSA18_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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