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参数资料
| 型号： | MPSA43 |
| 厂商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE, TELEPHONE ) |
| 中文描述： | 外延平面NPN晶体管（高电压，电话） |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 656K |
| 代理商： | MPSA43 |
C
Figure 1. DC Current Gain
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.1
100
0.1
10
1.0
10
1000
Ceb @ 1MHz
Figure 2. Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
80
70
50
30
20
10
TJ = 25
°
C
VCE = 20 V
f = 20 MHz
f
T
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. Current–Gain – Bandwidth
V
1.4
0.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
10
0.1
1.0
100
1.0
Ccb @ 1MHz
60
40
VBE(on) @ 25
°
C, VCE = 10 V
VBE(on) @ 125
°
C, VCE = 10 V
VBE(on) @ –55
°
C, VCE = 10 V
VCE(sat) @ 25
°
C, IC/IB = 10
VCE(sat) @ 125
°
C, IC/IB = 10
VCE(sat) @ –55
°
C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ 25
°
C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ 125
°
C, IC/IB = 10
VBE(sat) @ –55
°
C, IC/IB = 10
Figure 4. ”ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
120
0.1
1.0
10
100
80
60
0
h
TJ = +125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 10 Vdc
100
20
40
www.
mc c semi
.c om
M C C
MPSA42
thru
MPSA43
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