型号: | MPSA64-18F |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封装: | TO-92-18F, 3 PIN |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 406K |
代理商: | MPSA64-18F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPSA56/D10Z-5 | 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MF-10KDS-R13-0-71 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MJD350T4 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
MPS706K | 200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MA42025 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MPSA64-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSA64G | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MPSA64G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
MPSA64RLRA | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MPSA64RLRAG | 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |