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参数资料
| 型号： | MPSW42 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | One Watt High Voltage Transistor(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 封装： | CASE 29-10, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | MPSW42 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 30 mAdc, VCE = 10 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
hFE
25
40
40
—
—
—
—
VCE(sat)
—
0.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(sat)
—
0.9
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 20 MHz)
fT
50
—
MHz
Collector Capacitance
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
3.0
pF
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 1. DC Current Gain
200
20
1.0
h
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
V
0.6
0.4
0.3
0
0.1
10
1.0
TJ = 25
°
C
IC = 10 mA
0.2
0.5
2.0
5.0
20 30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. “On” Voltages
V
1.4
0
1.0
20
TJ = 25
°
C
VBE(on) @ VCE = 10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
5.0
10
50
70
VBE(sat) @ IC/IB = 10
2.0
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Temperature Coefficients
2.5
1.0
R
θ
VB for VBE
R
θ
°
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
50
70 100
100
30
50
70
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 10 V
0.5
0.2
0.1
IC = 20 mA
IC = 30 mA
3.0
7.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
20
5.0
10
50
70
2.0
100
3.0
7.0
1.5
2.0
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
IC
IB
10
R
θ
VC for VCE(sat)
25
°
C to 125
°
C
–55
°
C to 25
°
C
–55
°
C to 125
°
C
30
30
30
5.0
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