参数资料
| 型号： | MR0A08BYS35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 9/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP |
| 标准包装： | 135 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1459 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 819-1002 |
MR0A08B
DC CHARACTERISTICS
Table 5 – DC Characteristics
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Symbol
I lkg(I)
I lkg(O)
Min
-
-
Typical
-
-
Max
±1
±1
Unit
μA
μA
Output low voltage
(I OL = +4 mA)
(I OL = +100 μA)
V OL
-
-
0.4
V SS + 0.2
V
Output high voltage
(I OL = -4 mA)
V OH
2.4
-
-
V
(I OL = -100 μA)
V DD - 0.2
Table 6 – Power Supply Characteristics
Parameter
AC active supply current - read modes 1
(I OUT = 0 mA, V DD = max)
Symbol
I DDR
Typical
25
Max
30
Unit
mA
AC active supply current - write modes 1
(V DD = max)
MR0A08B (Commercial)
MR0A08BC (Industrial)
I DDW
55
55
65
70
mA
AC standby current
(V DD = max, E = V IH )
no other restrictions on other inputs
I SB1
6
7
mA
CMOS standby current
( E ≥ V DD - 0.2 V and V In ≤ V SS + 0.2 V or ≥ V DD - 0.2 V )
( V DD = max, f = 0 MHz )
I SB2
5
6
mA
Notes:
1.
All active current measurements are measured with one address transition per cycle and at minimum cycle time.
Copyright ? 2013 Everspin Technologies
9
MR0A08B Rev. 8, 10/2013
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MR0A16ACMA35R | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR0A16ACTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
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