参数资料
| 型号： | MR0D08BMA45 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 45NS 48BGA |
| 标准包装： | 348 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 45ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-FBGA（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1031 |
Electrical Specifications
Table 2.2 Operating Conditions
MR0D08B
3.0
Parameter
Core Power supply voltage
I/O Power supply voltage
Write inhibit voltage
Write inhibit voltage
Input high voltage (V DDQ =1.65-2.2V)
Input high voltage (V DDQ =2.2-2.7V)
Input high voltage (V DDQ =2.7-3.6V)
Input low voltage (V DDQ =1.65-2.2V)
Input low voltage (V DDQ =2.2-2.7V)
Input low voltage (V DDQ =2.7-3.6V)
Temperature under bias
Symbol
V DD
V DDQ
V WIDD
V WIDDQ
V IH
V IH
V IH
V IL
V IL
V IL
T A
Min
1
1.65 1
2.5
1.2
1.4
1.8
2.2
-0.2 3
-0.2 3
-0.2 3
0
Typical
3.3
-
2.7
1.4
-
-
-
-
-
-
Max
3.6
3.6
3.0 1
1.65 1
V DDQ + 0.2 2
V DDQ + 0.2 2
V DDQ + 0.2 2
0.4
0.6
0.8
70
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
V DDQ ≤ V DD . Write inhibit occurs when either V DD or V DDQ drops below its write inhibit voltage. There is a 2 ms startup time once
V IH (max) = V DDQ + 0.2 V DC ; V IH (max) = V DDQ + 0.5 V AC (pulse width ≤ 20 ns) for I ≤ 20.0 mA.
V IL (min) = -0.2 V DC ; V IL (min) = -2.0 V AC (pulse width ≤ 20 ns) for I ≤ 20.0 mA.
1
V DD exceeds V DD (min). See Power Up and Power Down Sequencing .
2
3
Everspin Technologies ? 2011
5
MR0D08B Rev. 3, 12/2011
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PDF描述 |
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| MR0DL08BMA45 | 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:MRAM（磁阻 RAM） 存储容量:1M（128K x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8x8） 标准包装:349 |
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