参数资料
| 型号： | MR0D08BMA45 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 45NS 48BGA |
| 标准包装： | 348 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 45ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-FBGA（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1031 |
MR0D08B
3. TIMING SPECIFICATIONS
Table 3.1 Capacitance 1
Parameter
Address input capacitance
Control input capacitance
Input/Output capacitance
Symbol
C In
C In
C I/O
Typical
-
-
-
Max
6
6
8
Unit
pF
pF
pF
1
f = 1.0 MHz, V DDQ =V DDQ(typ ), T A = 25 °C, periodically sampled rather than 100% tested.
Table 3.2 AC Measurement Conditions
Parameter
Logic input timing measurement reference level
Logic output timing measurement reference level
Logic input pulse levels
Output load voltage (V L ) for low & high impedance
parameters (Figure 3.1)
Output load resistor (R1) for all other timing
Output load resistor (R2) for all other timing
V DDQ =1.8
0.8
0.8
0 or 1.8
0.8
13,500
10,800
V DDQ =2.5
0.8
0.8
0 or 2.5
1.2
16,600
15,400
V DDQ =3.3
0.8
0.8
0 or 3.3
1.75
1,103
1,554
Unit
V
V
V
V
Ω
Ω
Figure 3.1 Output Load Test Low and High
Output
Z D = 50
R L = 50
V L
Figure 3.2 Output Load Test All Others
V DDQ
R1
Output
R2
30 pF
Everspin Technologies ? 2011
8
MR0D08B Rev. 3, 12/2011
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MR0DL08BMA45 | 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:MRAM（磁阻 RAM） 存储容量:1M（128K x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8x8） 标准包装:349 |
| MR0DL08BMA45R | 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:MRAM（磁阻 RAM） 存储容量:1M（128K x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8x8） 标准包装:1 |
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