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参数资料
| 型号： | MR256A08BMA35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 10/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 256KB 35NS 48BGA |
| 标准包装： | 348 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-FBGA（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1032 |
MR256A08B
Table 6 – Power Supply Characteristics
Parameter
AC active supply current - read modes 1
(I OUT = 0 mA, V DD = max)
Symbol
I
DDR
Typical
25
Max
30
Unit
mA
AC active supply current - write modes 1
(V DD = max)
MR256A08B (Commercial)
MR256A08BC (Industrial)
I
DDW
55
55
65
75
mA
AC standby current
(V DD = max, E = V IH )
no other restrictions on other inputs
MR256A08B (Commercial)
MR256A08BC (Industrial)
I
SB1
6
6
7
8
mA
CMOS standby current
(E ≥ V DD - 0.2 V and V In ≤ V SS + 0.2 V or ≥ V DD - 0.2 V)
(V DD = max, f = 0 MHz)
MR256A08B (Commercial)
MR256A08BC (Industrial)
I
SB2
5
5
6
7
mA
Notes:
1.
All active current measurements are measured with one address transition per cycle and at minimum cycle time.
Copyright ? 2013 Everspin Technologies
10
MR256A08B Rev. 6, 10/2013
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参数描述 |
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| MR256A08BSO35R | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR256A08BYS35 | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR256A08BYS35R | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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