参数资料
型号: MR256A08BMA35
厂商: Everspin Technologies Inc
文件页数: 5/24页
文件大小: 0K
描述: IC MRAM 256KB 35NS 48BGA
标准包装: 348
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: MRAM(磁阻 RAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 48-LFBGA
供应商设备封装: 48-FBGA(8x8)
包装: 托盘
其它名称: 819-1032
MR256A08B
Figure 2 – Pin Diagrams for Available Packages (Top View)
DC
1
44
DC
DC
1
32
V DD
NC
A
A
A
A
A
E
V DD
V SS
W
A
A
A
A
A
DC
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
NC
DC
NC
NC
A 14
A 13
G
V SS
V DD
DC
V SS
V DD
A
A
A
DC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
NC
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
W
A13
A8
A9
A11
G
NC
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
1
DC
NC
DQ
V SS
V DD
DQ 3
NC
NC
2
G
DC
NC
DQ
DQ
NC
NC
A
3
A
A
A
NC
DC
V SS
A
A
4
A
A
A
A
A 14
A 13
V DD
A
5
A
E
NC
DQ
DQ
NC
W
A
6
DC
DC
DQ
V DD
V SS
DQ
NC
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
DC
22
23
DC
V SS
16
17
DQ3
44 Pin TSOP2
32 Pin SOIC
Table 2 – Operating Modes
48 Pin FBGA
E 1
H
G1
X
W1
X
Mode
Not selected
V DD Current
I ,I
SB1 SB2
DQ[7:0] 2
Hi-Z
L
H
H
Output disabled
I
DDR
Hi-Z
L
L
H
Byte Read
I
DDR
D Out
L
X
L
Byte Write
I
DDW
D in
Notes:
1. H = high, L = low, X = don’t care
2. Hi-Z = high impedance
Copyright ? 2013 Everspin Technologies
5
MR256A08B Rev. 6, 10/2013
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MR256A08BSO35 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR256A08BSO35R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR256A08BYS35 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR256A08BYS35R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube