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参数资料
| 型号： | MR256A08BSO35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 11/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 256KB 35NS 32SOIC |
| 标准包装： | 108 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-SOIC |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1028 |
MR256A08B
TIMING SPECIFICATIONS
Table 7 – Capacitance
Parameter 1
Address input capacitance
Control input capacitance
Input/Output capacitance
Symbol
C
In
C
In
C
I/O
Typical
-
-
-
Max
6
6
8
Unit
pF
pF
pF
Notes:
1.
f = 1.0 MHz, dV = 3.0 V, T A = 25 °C, periodically sampled rather than 100% tested.
Table 8 – AC Measurement Conditions
Parameter
Logic input timing measurement reference level
Logic output timing measurement reference level
Logic input pulse levels
Input rise/fall time
Output load for low and high impedance parameters
Output load for all other timing parameters
Figure 4 – Output Load Test Low and High
Z D = 50
Output
R L = 50
V L = 1.5 V
Figure 5 – Output Load Test All Others
3.3 V
590
Output
5 pF
435
Value
1.5
1.5
0 or 3.0
2
See Figure 4
See Figure 5
Unit
V
V
V
ns
Copyright ? 2013 Everspin Technologies
11
MR256A08B Rev. 6, 10/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M1AGL600V2-FG144I | IC FPGA 1KB FLASH 600K 144-FBGA |
| AGL600V2-FG144I | IC FPGA 1KB FLASH 600K 144-FBGA |
| FMC20DRYN | CONN EDGECARD 40POS DIP .100 SLD |
| 2198617-9 | CONN BACKSHELL DB9 180 DEG |
| 828276-5 | CONN BACKSHELL 9POS STR 2PCS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR256A08BSO35R | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR256A08BYS35 | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR256A08BYS35R | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR256D08BMA45 | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR256D08BMA45R | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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