参数资料
型号: MR256A08BSO35
厂商: Everspin Technologies Inc
文件页数: 4/24页
文件大小: 0K
描述: IC MRAM 256KB 35NS 32SOIC
标准包装: 108
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: MRAM(磁阻 RAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 32-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 32-SOIC
包装: 托盘
其它名称: 819-1028
MR256A08B
BLOCK DIAGRAM AND PIN ASSIGNMENTS
Figure 1 – MR256A08B Block Diagram
G
OUTPUT
ENABLE
BUFFER
OUTPUT ENABLE
A[14:0]
15
ADDRESS
BUFFER
7
8
ROW
DECODER
COLUMN
DECODER
E
CHIP
ENABLE
BUFFER
8
SENSE
AMPS
8
OUTPUT
BUFFER
8
32K x 8 BIT
W
WRITE
ENABLE
BUFFER
MEMORY
ARRAY
8
FINAL
WRITE
DRIVERS
8
WRITE
DRIVER
8
DQ[7:0]
WRITE ENABLE
Table 1 – MR256A08B Pin Functions
Signal
Name
A
E
W
G
DQ
V DD
V SS
DC
NC
Function
Address Input
Chip Enable
Write Enable
Output Enable
Data I/O
Power Supply
Ground
Do Not Connect
No Connection - Pin 2, 40, 41,43 (TSOP2); Ball C2, C5, D3, F2, F5, G1, G2, G6, H1, H6 (BGA); Pin 9,
24, 31(SOIC) Reserved For Future Expansion
Copyright ? 2013 Everspin Technologies
4
MR256A08B Rev. 6, 10/2013
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PDF描述
M1AGL600V2-FG144I IC FPGA 1KB FLASH 600K 144-FBGA
AGL600V2-FG144I IC FPGA 1KB FLASH 600K 144-FBGA
FMC20DRYN CONN EDGECARD 40POS DIP .100 SLD
2198617-9 CONN BACKSHELL DB9 180 DEG
828276-5 CONN BACKSHELL 9POS STR 2PCS
相关代理商/技术参数
参数描述
MR256A08BSO35R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR256A08BYS35 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR256A08BYS35R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR256D08BMA45 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR256D08BMA45R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube