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参数资料
| 型号： | MR256A08BSO35 |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 2/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 256KB 35NS 32SOIC |
| 标准包装： | 108 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-SOIC |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1028 |
MR256A08B
TABLE OF CONTENTS
FEATURES .............................................................................................................................................1
BENEFITS...............................................................................................................................................1
INTRODUCTION ...................................................................................................................................1
BLOCK DIAGRAM AND PIN ASSIGNMENTS .......................................................................................4
Figure 1 – MR256A08B Block Diagram.................................................................................................................. 4
Table 1 – MR256A08B Pin Functions...................................................................................................................... 4
Figure 2 – Pin Diagrams for Available Packages (Top View) .......................................................................... 5
Table 2 – Operating Modes ....................................................................................................................................... 5
ELECTRICAL SPECIFICATIONS ............................................................................................................6
Absolute Maximum Ratings ...........................................................................................................6
Table 3 – Absolute Maximum Ratings................................................................................................................... 6
OPERATING CONDITIONS ...................................................................................................................7
Table 4 – Operating Conditions............................................................................................................................... 7
Power Up and Power Down Sequencing .......................................................................................8
Figure 3 – Power Up and Power Down Sequencing Timing Diagram ....................................................... 8
DC CHARACTERISTICS .........................................................................................................................9
Table 5 – DC Characteristics...................................................................................................................................... 9
Table 6 – Power Supply Characteristics ..............................................................................................................10
TIMING SPECIFICATIONS ................................................................................................................. 11
Table 7 – Capacitance ...............................................................................................................................................11
Table 8 – AC Measurement Conditions ..............................................................................................................11
Figure 4 – Output Load Test Low and High .......................................................................................................11
Figure 5 – Output Load Test All Others ...............................................................................................................11
Read Mode .................................................................................................................................... 12
Table 9 – Read Cycle Timing ...................................................................................................................................12
Copyright ? 2013 Everspin Technologies
2
MR256A08B Rev. 6, 10/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M1AGL600V2-FG144I | IC FPGA 1KB FLASH 600K 144-FBGA |
| AGL600V2-FG144I | IC FPGA 1KB FLASH 600K 144-FBGA |
| FMC20DRYN | CONN EDGECARD 40POS DIP .100 SLD |
| 2198617-9 | CONN BACKSHELL DB9 180 DEG |
| 828276-5 | CONN BACKSHELL 9POS STR 2PCS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR256A08BSO35R | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR256A08BYS35 | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR256A08BYS35R | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR256D08BMA45 | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR256D08BMA45R | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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