参数资料
| 型号： | MR25H10CDC |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 12/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 570 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 40MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP，大型标志（5x6） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 819-1014 |
MR25H10
4. TIMING SPECIFICATIONS
Table 4.1 Capacitance 1
Symbol
C In
C I/O
Parameter
Control input capacitance
Input/Output capacitance
Typical
-
-
Max
6
8
Unit
pF
pF
1
? = 1.0 MHz, dV = 3.0 V, T A = 25 °C, periodically sampled rather than 100% tested.
Table 4.2 AC Measurement Conditions
Parameter
Logic input timing measurement reference level
Logic output timing measurement reference level
Logic input pulse levels
Input rise/fall time
Output load for low and high impedance parameters
Output load for all other timing parameters
Value
1.5
1.5
0 or 3.0
2
See Figure 4.1
See Figure 4.2
Unit
V
V
V
ns
Figure 4.1 Output Load for Impedance Parameter Measurements
Output
Z D = 50
R L = 50
V L = 1.5 V
Figure 4.2 Output Load for all Other Parameter Measurements
3.3 V
590
Output
435
30 pF
Copyright ? Everspin Technologies 2013
12
MR25H10 Rev. 9, 4/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5747100-7 | CONN BACKSHELL DB37 METAL PLATED |
| FMC20DRYH | CONN EDGECARD 40POS DIP .100 SLD |
| MR256A08BCYS35 | IC MRAM 256KB 35NS 44TSOP |
| EPF10K30EQC208-1X | IC FLEX 10KE FPGA 30K 208-PQFP |
| AX500-2PQG208 | IC FPGA AXCELERATOR 500K 208QFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR25H10CDCR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10CDF | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10CDFR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDC | 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDCR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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