参数资料
| 型号： | MR25H10MDCR |
| 厂商： | Everspin Technologies Inc |
| 文件页数： | 11/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 40MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP，大型标志（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MR25H10
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Table 3.2 Operating Conditions
Symbol
V DD
V IH
V IL
T A
Parameter
Power supply voltage
Input high voltage
Input low voltage
Temperature under bias
Grade
Industrial
AEC-Q100 Grade1
All
All
Industrial
AEC-Q100 Grade1 1
Min
2.7
3.0
2.2
-0.5
-40
-40
Max
3.6
3.6
V DD + 0.3
0.8
85
125
Unit
V
V
V
V
°C
°C
AEC-Q100 Grade 1 temperature profile assumes 10 percent duty cycle at maximum temperature (2 years
1
out of 20-year life.)
Table 3.3 DC Characteristics
Symbol
I LI
I LO
V OL
V OH
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Output low voltage
Output high voltage
Conditions
I OL = +4 mA
I OL = +100 μA
(I OH = -4 mA)
(I OH = -100 μA)
Min
-
-
-
-
2.4
V DD - 0.2
Typical
-
-
-
-
-
-
Max
±1
±1
0.4
V SS + 0.2v
-
-
Unit
μA
μA
V
V
V
V
Table 3.4 Power Supply Characteristics
Symbol
I DDR
I DDW
I SB
I zz
Parameter
Active Read Current
Active Write Current
Standby Current
Standby Sleep Mode Current
Conditions
1 MHz
40 MHz
1 MHz
40 MHz
CS high and SPI bus inactive
CS high and SPI bus inactive
Typical
2.5
6
8
23
90
7
Max
3
10
13
27
115
30
Unit
mA
mA
mA
mA
μA
μA
Copyright ? Everspin Technologies 2013
11
MR25H10 Rev. 9, 4/2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 395-020-541-804 | CARD EDGE 20POS DL .100X.200 BLK |
| 395-020-541-802 | CARD EDGE 20POS DL .100X.200 BLK |
| AYF531635 | CONN SOCKET FPC 0.5MM 16POS SMD |
| 395-020-540-804 | CARD EDGE 20POS DL .100X.200 BLK |
| 395-020-540-802 | CARD EDGE 20POS DL .100X.200 BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MR25H10MDF | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H10MDFR | 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H256CDC | 功能描述:NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H256CDCR | 功能描述:NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| MR25H256CDF | 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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