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参数资料
| 型号： | MRF1001 |
| 厂商： | Microsemi Corporation |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 射频 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | MRF1001 |
MSC1311.PDF 10-25-99
MRF1001A
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25
°
C)
STATIC
(off)
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC = 5.0 mAdc)
20
-
-
Vdc
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IC= 0.1 mAdc)
3.5
-
-
Vdc
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=1.0 mAdc)
30
-
-
Vdc
ICBO
Collector-Base
(VCB = 10 Vdc)
-
50
-
μ
A
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC = 50mA, IC/IB = 10)
-
100
-
mV
(on)
HFE
DC Current Gain
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
50
-
300
-
DYNAMIC
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
f
T
Current-Gain - Bandwidth Product
(IC = 90 mAdc, VCE = 14 Vdc, f = 300 MHz)
-
3.0
-
GHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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