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参数资料
| 型号： | MRF1001 |
| 厂商： | Microsemi Corporation |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 射频 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | MRF1001 |
MSC1311.PDF 10-25-99
MRF1001A
FUNCTIONAL
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
G
U max
Maximum Unilateral Gain (1)
IC = 90 mAdc, VCE = 14Vdc,
f = 300 MHz
-
11.5
-
dB
MAG
Maximum Available Gain
IC = 90 mAdc, VCE = 14Vdc,
f = 300 MHz
-
11.7
-
dB
|S
21
|
2
Insertion Gain
IC = 90 mAdc, VCE = 14Vdc,
f = 300 MHz
10
11.13
-
dB
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 14 V, IC = 90 mA
f
(MHz)
100
S11
S21
S12
S22
|S11|
.165
∠ φ
-17
|S21|
9.7
∠ φ
98
|S12|
.058
∠ φ
79
|S22|
.411
∠ φ
-32
200
.113
-77
5.2
80
.115
73
.302
-36
300
.061
63
3.6
76
.169
76
.298
-42
400
.003
-49
2.7
66
.225
68
.287
-67
500
.063
117
2.3
57
.281
61
.235
-80
600
.069
140
1.9
54
.320
60
.245
-90
700
.135
150
1.9
48
.397
58
.232
-104
800
.179
144
1.7
39
.447
49
.237
-124
900
.282
146
1.6
33
.476
44
.215
-157
1000
.362
132
1.5
36
.510
47
.220
-177
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF331 | The RF Line |
| MRF449 | RF POWER TRANSISTORS |
| MRF449A | RF POWER TRANSISTORS |
| MRF5812 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF5812R1 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1001A | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| MRF1002 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS |
| MRF1002MA | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS |
| MRF1002MB | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS |
| MRF10031 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
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