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参数资料
| 型号： | MRF1001 |
| 厂商： | Microsemi Corporation |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 射频 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | MRF1001 |
MSC1311.PDF 10-25-99
MRF1001A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF331 | The RF Line |
| MRF449 | RF POWER TRANSISTORS |
| MRF449A | RF POWER TRANSISTORS |
| MRF5812 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF5812R1 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1001A | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| MRF1002 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS |
| MRF1002MA | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS |
| MRF1002MB | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTORS |
| MRF10031 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
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