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参数资料
| 型号： | MRF1004MA |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 19K |
| 代理商： | MRF1004MA |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CBO
I
C
= 5.0 mA
BV
CEO
I
C
= 5.0 mA
BV
EBO
I
E
= 1.0 mA
I
CBO
V
CB
= 35 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 75 mA
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
50
UNITS
V
V
V
mA
---
20
3.5
0.5
10
100
P
G
η
C
V
CC
= 35 V
P
OUT
= 4.0 W f = 1090 MHz
10
40
11
45
dB
%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF1004MA
DESCRIPTION:
The
ASI MRF1004MA
is Designed
for Class B and C, TACAN, IFF, and
DME Applications up to 1090 MHz.
FEATURES:
Class B and C Operation
Common Base
P
G
= 10 dB at 4.0 W/1090 MHz
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
250 mA
V
CE
20 V
P
DISS
7.0 W @ T
C
= 25°C
-65
O
C to +200 °C
-65
O
C to +150 °C
25.0
O
C/W
T
J
T
STG
θ
JC
PACKAGE STYLE .280 4L STUD
1 = Collector 2 = Emitter 3 & 4 = Base
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1004 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| MRF138 | N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET |
| MRF141 | RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR |
| MRF141 | N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET |
| MRF148A | N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1004MB | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF10070 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTOR |
| MRF100B | 制造商:Universal 功能描述:URC RF Power Blaster 制造商:UNIVERSAL 功能描述:URC RF POWER BLASTER 6 DEVICE IR/RF BLASTER |
| MRF10120 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MRF10150 | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 3PIN CASE 376B-02 - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
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