- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21728 > MRF1535FNT1 (Freescale Semiconductor)IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF1535FNT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/19页 |
| 文件大小： | 658K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 6A |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 35W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | TO-272BA |
| 供应商设备封装： | TO-272-6 绕接 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1535NT1 MRF1535FNT1
Table 4. Electrical Characteristics (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage
(VGS
= 0 Vdc, I
D
= 100
μ
Adc)
V(BR)DSS
60
?
?
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS
= 60 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 10 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
0.3
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 12.5 Vdc, I
D
= 400
μA)
VGS(th)
1
?
2.6
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 5 Vdc, I
D
= 0.6 A)
RDS(on)
?
?
0.7
Ω
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 2.0 Adc)
VDS(on)
?
?
1
Vdc
Dynamic Characteristics
Input Capacitance (Includes Input Matching Capacitance)
(VDS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Ciss
?
?
250
pF
Output Capacitance
(VDS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Coss
?
?
150
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Crss
?
?
20
pF
RF Characteristics
(In Freescale Test Fixture)
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 12.5 Vdc, P
out
= 35 Watts, I
DQ
= 500 mA) f = 520 MHz
Gps
?
13.5
?
dB
Drain Efficiency
(VDD
= 12.5 Vdc, P
out
= 35 Watts, I
DQ
= 500 mA) f = 520 MHz
η
?
55
?
%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3291-20.000 | OSC 20.000 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
| MC12CD010C-TF | CAP MICA 1PF 500V 1210 |
| C3291-2.048 | OSC 2.0480 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
| 150124K100BB | CAP FILM 0.12UF 100VDC AXIAL |
| C3291-19.440 | OSC 19.440 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1535FT1 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MRF1535N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1535NT1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FET TO-272N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF1535NT1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1535NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。