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参数资料
| 型号： | MRF1535FNT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/19页 |
| 文件大小： | 658K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 520MHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 12.5V |
| 额定电流： | 6A |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 35W |
| 电压 - 额定： | 40V |
| 封装/外壳： | TO-272BA |
| 供应商设备封装： | TO-272-6 绕接 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF1535NT1 MRF1535FNT1
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3291-20.000 | OSC 20.000 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
| MC12CD010C-TF | CAP MICA 1PF 500V 1210 |
| C3291-2.048 | OSC 2.0480 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
| 150124K100BB | CAP FILM 0.12UF 100VDC AXIAL |
| C3291-19.440 | OSC 19.440 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF1535FT1 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MRF1535N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1535NT1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FET TO-272N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF1535NT1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1535NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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