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参数资料
| 型号： | MRF1535NT1 |
| 厂商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射频功率场效应晶体管 |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | MRF1535NT1 |
MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Note: Z
OL
* was chosen based on tradeoffs between gain, drain efficiency, and device stability.
Figure 19. Series Equivalent Input and Output Impedance
.
Z
in
= Complex conjugate of source
impedance.
Z
OL
* = Complex conjugate of the load
impedance at given output power,
voltage, frequency, and
η
D
> 50 %.
f
MHz
Z
in
Z
OL
*
135
5.0 + j0.9
1.7 + j0.2
Z
in
= Complex conjugate of source
impedance.
Z
OL
* = Complex conjugate of the load
impedance at given output power,
voltage, frequency, and
η
D
> 50 %.
. /
1
.
2#
.
155
5.0 + j0.9
1.7 + j0.2
175
3.0 + j1.0
1.3 + j0.1
f
MHz
Z
in
Z
OL
*
450
0.8
j1.4
1.0
j0.8
. /
1
.
2#
.
470
0.9
j1.4
1.1
j0.6
500
1.0
j1.4
1.1
j0.6
5
()
6.
+,-
()
5
)7
+809():
;<=>
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7
+809():
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520
0.9
j1.4
1.1
j0.5
6.
+,-
6 .
+,-
6 .
+,-
6 .
+,-
6 .
+,-
6 .
+,-
6 .
+,-
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PDF描述 |
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