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参数资料
| 型号： | MRF1535T1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272AA |
| 封装： | PLASTIC, TO-272, CASE 1264-09, 6 PIN |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | MRF1535T1 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 450
520 MHz
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Figure 13. Gain versus Output Power
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Figure 14. Drain Efficiency versus Output Power
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Figure 15. Output Power versus Biasing Current
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Figure 16. Drain Efficiency versus Biasing Current
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Figure 17. Output Power versus Supply Voltage
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF154 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF154MP | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| MRF1550FNT1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS FET HI PWR TO272FN RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF1550FT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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